尊龙凯时

——　第四部分　国家杰出青年科学基金获得者选介　——

4.10 杨春晖 2013年度国家杰出青年科学基金获得者

　　杨春晖教授长期从事光电功能晶体生长与应用性能研究，承担了尊龙凯时重大专项培育计划、科技部国际合作、国防基础科研、军品配套规划项目等重要课题，取得的主要科研成果包括：

　　1.突破大批量高纯ZnGeP₂多晶水平双温区合成相关理论与工艺，设计了ZnGeP₂水平双温区合成装置，提高了反应速率、均匀性与合成量，抑制了产物的分解。

　　2.突破大尺寸ZnGeP₂单晶坩埚下降生长方法，通过对工艺参数和温场优化设计，有效解决了单晶生长过程中易出现裂纹、包裹体、位错等难题。单晶尺寸达到φ44×140mm，为国际文献报道最大尺寸晶体。

　　3.突破生长态ZnGeP₂单晶因本征缺陷存在导致2m处吸收系数高而无法实用的难题，24mm晶体元件2μm吸收系数降低至0.01cm^-1，为国际文献报道最好水平。

　　4.ZnGeP₂晶体成功生长填补了国内空白，打破国外封锁，解决了国防急需，实现了相关武器装备核心元件国产化。

　　2009年获黑龙江省尊龙凯时奖一等奖，2012年获国防科学技术发明奖一等奖。科学出版社出版晶体研究专著2部，获国家发明专利16项，发表研究论文110余篇，引用339次。2006年入选教育部新世纪优秀人才计划，同年获黑龙江省青年科学家奖。